品牌:
Nexperia (安世)(4)
多选
封装:
SSMini(4)
包装:
(4)
多选
型号/品牌/封装
品类/描述
库存
价格(含税)
资料
  • 封装: SSMini
    描述: 低饱和电压 NPN 晶体管,Nexperia 一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压 NPN 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。 ### 双极晶体管,Nexperia
    5042
    5+
    1.7145
    25+
    1.5875
    50+
    1.4986
    100+
    1.4605
    500+
    1.4351
    2500+
    1.4034
    5000+
    1.3907
    10000+
    1.3716
  • 封装: SSMini
    描述: 双电阻器双数字晶体管,Nexperia ### 数字晶体管,Nexperia 配备电阻器的双极性晶体管也称为“数字晶体管”或“偏流电阻器的晶体管”,包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器,或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。
    1369
    20+
    0.5805
    50+
    0.5375
    100+
    0.5160
    300+
    0.4988
    500+
    0.4859
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    0.4773
    5000+
    0.4687
    10000+
    0.4601
  • 封装: SSMini
    描述: 低饱和电压 NPN 晶体管,Nexperia 一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压 NPN 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。 ### 双极晶体管,Nexperia
    1472
    10+
    1.0800
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    0.9840
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    1000+
    0.9120
    2500+
    0.8760
    5000+
    0.8680
  • 描述: 低饱和电压 PNP 晶体管,Nexperia 一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。 ### 双极晶体管,Nexperia
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    5+
    3.0375
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    2.8125
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    2.6550
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    2.5875
    500+
    2.5425
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    2.4863
    5000+
    2.4638
    10000+
    2.4300

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